【手机中国 新闻】11月19日消息,据国外媒体报道,近日三星正式宣布已经成功研发10nm工艺,在进度上超越了对手台积电和芯片巨头英特尔。
三星表示,已经成功研发出新一代S-RAM,该??榛?0nm工艺技术,并拥有128Mb的传输速度,比D-RAM要快很多。据称10nm工艺比14nm工艺更具优势,其面积较小,空间占用减少了37.5%。该公司将于明年的国际固态电路会议(ISSCC)期间展示这一新技术。
S-RAM用于CPU高速缓存,高速和低功耗是维持其高水平性能的关键。三星将于2017年初量产新一代基于10nm工艺的S-RAM???,而台积电和Intel目前的S-RAM???,仍然使用16nm和14nm工艺,但它们在2017年也会竭力推行10nm工艺,三星目前暂时领先一步。
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